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中國半導(dǎo)體業(yè)必須十分淸醒 做一名受同仁尊敬的“攪局者”

時間:2017-07-19 作者: 閱讀:4226
      世界的半導(dǎo)體市場此前一直以美韓日廠商唱主角,現(xiàn)在中國企業(yè)正試圖參與進來,而中國企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導(dǎo)體市場混亂的風(fēng)險因素。
      在全球股市上,半導(dǎo)體相關(guān)股正在成為熱點。美國費城半導(dǎo)體指數(shù)(SOX)在1100點左右,這是2000年IT泡沫以來的高水平。但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在步入一個未知的階段,其中一個要素就是中國。
      矛頭指向中國有失公允
      眾所周知,無論日經(jīng)中文,或是西方的有些論點把矛頭指向中國半導(dǎo)體業(yè)是不公平的。任何國家都有權(quán)決定自身的發(fā)展策略,而中國要發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)是歷來已久,每年進口芯片金額在千億美元數(shù)量級,而自主生產(chǎn)才近10%,因此要改變不合理的現(xiàn)狀是一件天經(jīng)地義的事。
      客觀地說,此次中國半導(dǎo)體業(yè)的突破與之前大不同,它是首先抓住發(fā)展產(chǎn)業(yè)的命脈資金問題。盡管“大基金”是國家基金,但是它釆用入股企業(yè)的方法,并要求投資取得回報,與國際上通用的作法是一致的,僅是數(shù)量上及時間點讓全球業(yè)界感覺“來勢洶洶”而己。即便如此與全球領(lǐng)先者如三星,臺積電等相比也是相形見拙,更何況它僅是一個計劃,未來真的能投入多少?以及在多長時間內(nèi)能投得進去?尚需要觀察。
      市場競爭與攪局者
      只要是公平的市場競爭,有“攪局者”不一定是件“壞事”。它改變現(xiàn)狀,推動市場競爭,在新的態(tài)勢下達到新的平衡,是產(chǎn)業(yè)進步的表現(xiàn)。
      觀察近期全球半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展中,“攪局者”并不少見,是必然的趨勢。如全球代工中,三星是異軍突起,也可看作是一家“攪局者”。它揚言今年它的代工營收要超過居第二位的格羅方德,并要與代工老大臺積電有一心比拼,顯見三星要改變?nèi)虼さ母偁幐窬帧?br />       在全球半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)中,在今年的Semicon West中ASML重申它的EUV光刻機將很快步入實用化,在兩年內(nèi)光源功率提升至產(chǎn)業(yè)要求的250瓦水平。目前己在全球共安裝了14臺,客戶包括英特爾,三星,臺積電及格羅方德,未來尚有21臺等待發(fā)貨,其中英特爾是大戶。
      眾所周知,從全球半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展中先進工藝制程競賽一直是個“熱點”,臺積電,三星,英特爾,甚至格羅方德都聲言可能走在前列,誰也不干落后。目前采用浸液式光刻方法己可達7納米,將于2018年實現(xiàn)量產(chǎn),但是要使用三次或者四次圖形曝光工藝,它大大增加產(chǎn)品的周期與成本。如果改用EUV光刻工藝,將有效的簡化產(chǎn)品設(shè)計,并與三次或者四次圖形曝光工藝相比較,從成本方面可能節(jié)省。因此EUV光刻工藝的導(dǎo)入,在全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中是一次質(zhì)的飛躍,是延伸“定律”的有力武器。它有可能改變目前芯片制造商中前幾位的排名,并對未來半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生深遠的影響。所以EUV光刻設(shè)備的導(dǎo)入也可看作是一個“攪局者”,而且是一個強有力的“攪局者”。因此對于“誰是攪局者”不能有“雙重標準”,應(yīng)該一視同仁,從根本上它們可能都是推動半導(dǎo)體業(yè)持續(xù)的進步。
      中國廠商加入存儲器行列
      歷史上在半導(dǎo)體業(yè)中,凡是打“翻身仗”都是從存儲器下手,己經(jīng)實現(xiàn)過兩次,一次是日本超過美國,及另一次是韓國超過日本。如今此次是中國半導(dǎo)體準備崛起,它的目的不一樣,也不可能有任何超越韓國存儲器老大的想法。
      此次中國存儲器的突破,主要是為了自用,目的是提高芯片的國產(chǎn)化率。據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù),2016年全球存儲器銷售額超過800億美元,而中國的市場大約消耗其中的25%以上。為此中國半導(dǎo)體業(yè)為了減少進口,增加國產(chǎn)化率,目前有三股力量,包括長江存儲、合肥睿力及福建晉華,分別聚焦不同的存儲器產(chǎn)品。就目前的進度,三家都處在建廠及技術(shù)與人才準備階段,實際上離開量產(chǎn)尚有一段距離,可能尚不能言及最終成功。
      近20年以來,只看見有退出存儲器業(yè)的,如德國的奇夢達,以及美光兼并日本的爾必達,全球未見有任一新加入者,反映它的入門檻高,競爭太激烈。所以此次中國半導(dǎo)體業(yè)要突破存儲器引起全球業(yè)界的警覺是合乎情理的,但是也要客觀與公正,不應(yīng)該扼殺中國半導(dǎo)體的自主需求。
      在全球存儲器業(yè)中,可能相對競爭更為激烈,一方面是DRAM繼續(xù)向1x納米進軍,從縮小尺寸角度,15納米可能是極限。三星肯定走在最前面,目前它擁有DRAM及NAND閃存產(chǎn)能各有40萬片(12 inch WPM)。而另一方面在2D NAND向3D NAND轉(zhuǎn)移中,三星、美光、東芝、西數(shù)、海力士等都揚言近期要開始64層3D NAND的量產(chǎn)出貨,并全力向96層3D NAND挺進。而中國的長江存儲是一個“新進者”,它僅是可能于2018年出貨32層3D NAND,離開三星等的差距至少2代以上。
      分析天時,地利與人和在中國似乎都具備了一定的條件,但是在存儲器芯片制造的突破時必須十分清醒,僅擁有大的市場與足夠的投資可能還不一定能獲得最后的成功,它需要有專業(yè)人材的配合及詳情的專利應(yīng)對策略,并要有一股氣勢與勇氣,關(guān)鍵是能把制造成本降下來,需要加強芯片生產(chǎn)線的嚴格管理。
      至此對于中國存儲器業(yè)的突破,外界幾乎都并不看好。然而在全球存儲產(chǎn)業(yè)進行大轉(zhuǎn)移的時刻,中國半導(dǎo)體業(yè)主要為了自用,勇于加入,希望能得到一個公平競爭的機會。而且現(xiàn)階段盡管中國半導(dǎo)體業(yè)有三股力量在集結(jié),但是從理性分析,在2020年之前這些芯片生產(chǎn)線仍處在產(chǎn)能爬坡階段,它們的銷售額都不會太高。
      全球存儲器業(yè)總是周期性的起伏,只有堅持到底,不懼怕暫時的虧損,才有可能成功。盡管Gartner按以往的經(jīng)驗進行了預(yù)測,認為2019年時存儲器業(yè)可能進入下降周期。顯然中國的存儲器不可能趕上2019年之前的榮景,把希望寄于在下一波存儲器的上升周期中能有令人滿意的表現(xiàn)。
      中國半導(dǎo)體業(yè)在存儲器中的突破,首先是為了滿足自用需求,與三星等先進廠商之間尚有很大的差距,也沒有實力來挑戰(zhàn)臺積電,三星及英特爾等巨頭。但是由于中國的加入,全球存儲器業(yè)中后幾位的排名可能會發(fā)生改變。
      中國半導(dǎo)體業(yè)必須十分淸醒,一定要循序前進,尊重知識產(chǎn)權(quán),與全球存儲器業(yè)者開展公平的競爭,爭取做一名受同仁尊敬的“攪局者”。
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